CIGW252012GL4R7MNE
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Samsung Electro-Mechanics CIGW252012GL4R7MNE
| Artikelnummer: | CIGW252012GL4R7MNE |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Samsung Electro-Mechanics |
| Teil der Beschreibung.: | FIXED IND 4.7UH SMD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.40 |
| 10+ | $0.358 |
| 25+ | $0.3136 |
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Samsung Electro-Mechanics CIGW252012GL4R7MNE Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CIGW252012GL4R7MNE.Produkteigenschaften Eigenschaften Art Drum Core, Wirewound Toleranz ±20% Supplier Device-Gehäuse 1008 (2520 Metric) Größe / Dimension 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Abschirmung - Serie CIGW Bewertungen - Q @ Frequenz - Verpackung / Gehäuse 1008 (2520 Metric) Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Befestigungsart Surface Mount Material - Kern Metal Composite Induktivität Frequenz - Test 1 MHz Induktivität 4.7 µH Höhe - eingesteckt (max) 0.047" (1.20mm) Frequenz - Eigenresonanz - Eigenschaften - DC-Widerstand (DCR) - Strom - Sättigung (ISAT) - -
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